1. 產(chǎn)品概述

2. 核心技術(shù)參數(shù)

• 產(chǎn)品類型：導(dǎo)電型纖維刷式 CMP 研磨墊調(diào)節(jié)器

• 適用工藝：半導(dǎo)體晶圓 CMP 拋光（銅互連、鎢、硅片、氧化物等）

• 纖維材質(zhì)：高純度金剛石 / 碳化硅涂層柔性碳纖維、導(dǎo)電金屬纖維（可選）

• 纖維密度：100~1000 根 /cm2（依工藝需求定制）

• 纖維長度：0.5~3mm（定制化，適配不同研磨墊類型）

• 基底材質(zhì)：不銹鋼 / 鋁合金 / 陶瓷（高剛性、高平整度）

• 基底尺寸：標(biāo)準(zhǔn) φ100~φ300mm（適配主流 CMP 設(shè)備，可定制）

• 導(dǎo)電性能：低電阻率，支持電化學(xué)輔助修整（ECMP）

• 適用設(shè)備：Applied Materials、Tokyo Electron 等主流半導(dǎo)體 CMP 設(shè)備

3. 半導(dǎo)體 CMP 研磨墊柔性纖維導(dǎo)電調(diào)節(jié)器 產(chǎn)品性能與用材

• 核心用材：基底采用高平整度不銹鋼 / 陶瓷，保障安裝精度與受力均勻；柔性碳纖維經(jīng)金剛石 / 碳化硅耐磨涂層處理，提升纖維耐磨性與修整效率；導(dǎo)電涂層實(shí)現(xiàn)電化學(xué)輔助修整功能，適配先進(jìn)制程工藝。

• 性能特點(diǎn)：柔性纖維可貼合研磨墊表面微觀形貌，實(shí)現(xiàn)均勻修整，避免硬接觸造成的墊體損傷與晶圓劃痕；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可配合電化學(xué)輔助修整，提升修整效率，延長研磨墊使用壽命；纖維高度一致性高，保障修整后研磨墊表面平整度，穩(wěn)定 CMP 工藝的去除率與晶圓 TTV。

4. 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

1. 柔性低損傷修整：柔性纖維貼合研磨墊微觀形貌，均勻修整，減少墊體損傷與晶圓劃痕風(fēng)險(xiǎn)。

2. 導(dǎo)電輔助高效作業(yè)：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)支持電化學(xué)輔助修整（ECMP），提升修整效率，延長研磨墊使用壽命。

3. 高耐磨長壽命：金剛石 / 碳化硅涂層纖維，耐磨性能優(yōu)異，適配半導(dǎo)體量產(chǎn)長周期使用。

4. 高平整度工藝穩(wěn)定：基底與纖維高度一致性高，保障修整后研磨墊平整度，穩(wěn)定 CMP 工藝參數(shù)。

5. 定制化適配性強(qiáng)：可根據(jù) CMP 設(shè)備、研磨墊類型、工藝需求，定制纖維材質(zhì)、密度、長度、基底尺寸等參數(shù)。

6. 兼容主流設(shè)備：適配全球主流半導(dǎo)體 CMP 設(shè)備，無需改造設(shè)備即可直接安裝使用。

5. 適用場(chǎng)景

• 半導(dǎo)體晶圓制造：12/8 英寸晶圓 CMP 工藝（銅 CMP、鎢 CMP、硅片拋光、氧化物拋光等）的研磨墊在線修整。

• 半導(dǎo)體設(shè)備配套：CMP 設(shè)備原廠配套耗材、晶圓廠量產(chǎn)耗材替換。

• 先進(jìn)制程工藝：7nm/5nm 等先進(jìn)邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片的 CMP 工藝修整。

• CMP 工藝研發(fā)：高校、科研院所的 CMP 工藝優(yōu)化、新型研磨墊 / 修整器研發(fā)測(cè)試。

6. 包裝、使用說明

• 包裝：采用無塵、防潮、防震包裝，關(guān)鍵部件（纖維層、基底）做精密防護(hù)，確保運(yùn)輸過程中無損傷、無污染，符合半導(dǎo)體級(jí)潔凈要求。

• 使用說明：根據(jù) CMP 設(shè)備型號(hào)與工藝參數(shù)，選擇對(duì)應(yīng)規(guī)格的調(diào)節(jié)器，按設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)流程安裝；使用過程中定期檢查纖維磨損情況，按工藝要求設(shè)定修整參數(shù)；使用后清潔并妥善存放，避免纖維變形與污染。