一、新瓷陶瓷靜電卡盤（ESC）產(chǎn)品概述

二、核心結(jié)構(gòu)與用材

1. 陶瓷介質(zhì)層：采用高純度氮化鋁 / 氧化鋁陶瓷材料，致密性高、孔隙率低，抗化學(xué)侵蝕與等離子腐蝕能力強(qiáng)，絕緣性能優(yōu)異，保障靜電吸附效果的同時，提升產(chǎn)品使用壽命。

2. 內(nèi)置電極層：鉬 / 鎢金屬電極與陶瓷基體一體化共燒成型，界面結(jié)合穩(wěn)定，可長期承受高壓與等離子體環(huán)境，不易失效。

3. 溫控與冷卻結(jié)構(gòu)：集成加熱電極層、冷卻流道與氦氣通道，可實(shí)現(xiàn) ±0.5℃以內(nèi)的溫度均勻性控制，同時實(shí)現(xiàn)晶圓快速散熱，適配復(fù)雜工藝溫度需求。

4. 底座與密封結(jié)構(gòu)：高強(qiáng)度金屬底座搭配密封件，保障設(shè)備安裝穩(wěn)定性與真空環(huán)境密封性，適配各類半導(dǎo)體設(shè)備安裝標(biāo)準(zhǔn)。

三、產(chǎn)品性能優(yōu)勢

• 強(qiáng)吸附與平整度控制：利用庫侖力 / Johnson-Rahbek 力實(shí)現(xiàn)晶圓均勻吸附，可有效抑制工藝過程中的晶圓變形，保障表面平整度，避免機(jī)械夾持導(dǎo)致的污染與損傷。

• 耐候性與穩(wěn)定性優(yōu)異：陶瓷基體具備低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，可長期承受等離子體、鹵素氣體等嚴(yán)苛工藝環(huán)境，不易老化、腐蝕，適配高頻次、長時間連續(xù)作業(yè)。

• 精準(zhǔn)溫控適配多場景：集成加熱與冷卻系統(tǒng)，可根據(jù)不同制程需求精準(zhǔn)調(diào)控晶圓溫度，適配刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，保障工藝一致性。

• 定制化適配能力：可根據(jù)設(shè)備型號、晶圓尺寸（如 8 寸 / 12 寸）、工藝要求定制電極布局、冷卻通道結(jié)構(gòu)與溫控方案，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的無縫對接。

四、新瓷陶瓷靜電卡盤（ESC）主要應(yīng)用場景

• 刻蝕工藝（干法刻蝕、濕法刻蝕）

• 薄膜沉積工藝（PVD/CVD）

• 離子注入工藝

• 光刻及量測設(shè)備配套

  同時可適配真空鍍膜、精密光學(xué)加工等對潔凈度、平整度、溫控要求較高的工業(yè)場景。

五、使用與維護(hù)說明

• 安裝前需檢查設(shè)備接口與卡盤尺寸匹配性，按設(shè)備操作規(guī)范完成安裝與真空密封測試。

• 作業(yè)過程中需定期檢查氦氣通道與冷卻流道的通暢性，避免堵塞影響溫控效果。

• 維護(hù)時需使用專用清潔工具處理卡盤表面殘留雜質(zhì)，避免刮傷陶瓷介質(zhì)層，影響絕緣與吸附性能。