Apollowave VS-100真空腔體半自動(dòng)探針臺(tái)

更新日期：2026-07-07

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廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

生產(chǎn)地址：日本

簡(jiǎn)要描述：

日本 Apollowave VS-100真空腔體半自動(dòng)探針臺(tái)，專為氣體敏感、易氧化光電子與寬禁帶半導(dǎo)體器件開發(fā)帶密封真空腔體的半自動(dòng)精密測(cè)試設(shè)備;整機(jī)搭載不銹鋼耐壓真空腔，搭配分子泵機(jī)組可實(shí)現(xiàn)高真空工況，同時(shí)支持常壓常規(guī)樣品測(cè)試，最大承載4英寸晶圓與小片裸芯片;三軸微米級(jí)電動(dòng)位移平臺(tái)內(nèi)置真空腔體內(nèi)部，觸控軟件可編輯晶圓陣列矩陣，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)逐顆探針測(cè)試，僅上下樣品時(shí)破真空，大幅降低真空泵循環(huán)損耗

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產(chǎn)品介紹

一、日本 Apollowave VS-100真空腔體半自動(dòng)探針臺(tái) 產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

項(xiàng)目	詳情
品牌型號(hào)	Apollowave VS-100 真空腔體半自動(dòng)探針臺(tái)
核心結(jié)構(gòu)	不銹鋼密封耐壓真空腔體，搭配分子泵機(jī)組實(shí)現(xiàn)高真空，常壓/真空雙模式切換
晶圓承載	最大適配4英寸圓形晶圓、方形基板、各類小片裸芯片
運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)	真空腔內(nèi)內(nèi)置三軸微米級(jí)電動(dòng)位移平臺(tái)，軟件自動(dòng)陣列步進(jìn)定位
核心應(yīng)用	光電子、GaN寬禁帶、MEMS、二維材料芯片高真空無(wú)氧化半自動(dòng)探針研發(fā)測(cè)試

二、核心規(guī)格參數(shù)

參數(shù)項(xiàng)	標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
真空能力	密封不銹鋼腔體，可搭配分子泵機(jī)組達(dá)到高真空，支持常壓、真空兩種測(cè)試工況
載片機(jī)構(gòu)	真空吸附陶瓷載片臺(tái)，可集成真空專用高低溫冷熱溫控卡盤
觀測(cè)系統(tǒng)	真空側(cè)同軸光學(xué)鏡+真空耐壓密封CCD窗口，腔外實(shí)時(shí)顯微成像對(duì)位
信號(hào)傳輸	標(biāo)準(zhǔn)化真空射頻、直流饋通組件，隔絕壓差，保障真空腔內(nèi)信號(hào)無(wú)損輸出
操作流程	半自動(dòng)模式：人工腔外上下片封腔抽真空，軟件全自動(dòng)逐點(diǎn)陣列探針測(cè)試
探針適配	真空專用GSG射頻微波探針、多通道真空直流探針通用匹配
控制邏輯	工業(yè)觸控一體機(jī)，圖形化點(diǎn)位編程，真空度聯(lián)鎖安全保護(hù)程序
拓展配置	分子泵真空機(jī)組、真空高低溫卡盤、自動(dòng)真空探針清潔機(jī)構(gòu)可選加裝
適用工況	科研實(shí)驗(yàn)室間歇式真空環(huán)境新工藝、氣體敏感器件批量抽檢驗(yàn)證

三、產(chǎn)品核心性能優(yōu)勢(shì)

1. 集成密封高真空腔體，隔絕水汽氧氣，芯片無(wú)氧化原生性能測(cè)試

常規(guī)大氣探針臺(tái)測(cè)試GaN、光電裸片時(shí)，芯片表面極易接觸空氣氧化、吸附雜質(zhì)，導(dǎo)致電學(xué)參數(shù)失真；VS-100整機(jī)自帶耐壓真空腔，搭配分子泵抽至高真空，器件全程隔絕大氣，可測(cè)量芯片真實(shí)原生電學(xué)、射頻特性，匹配真空薄膜、真空封裝工藝研發(fā)需求。

2. 腔內(nèi)內(nèi)置三軸電動(dòng)半自動(dòng)平臺(tái)，減少頻繁破真空抽氣損耗

位移電機(jī)、晶圓載臺(tái)全部布置在真空腔體內(nèi)部，僅更換樣品時(shí)需要釋放真空、重新抽氣；同一批次晶圓陣列可全自動(dòng)連續(xù)步進(jìn)測(cè)試，無(wú)需每顆芯片開腔手動(dòng)平移，大幅縮短單批次測(cè)試時(shí)長(zhǎng)，降低分子泵頻繁啟停損耗。

3. 真空密封光學(xué)觀測(cè)窗口，腔外無(wú)接觸清晰觀測(cè)微小焊盤

腔體側(cè)壁采用真空耐壓光學(xué)密封視窗，搭配同軸落射光學(xué)與外置CCD顯示器，操作人員無(wú)需打開真空腔體，即可實(shí)時(shí)放大觀察微米級(jí)器件電極，精準(zhǔn)調(diào)節(jié)真空探針扎針高度與壓力，避免反復(fù)破真空對(duì)位。

4. 專用真空饋通信號(hào)接口，真空環(huán)境射頻、直流信號(hào)無(wú)衰減泄露

區(qū)別普通大氣探針臺(tái)線纜直出，設(shè)備采用真空專用射頻、直流饋通組件，隔絕腔內(nèi)外氣壓差，同時(shí)屏蔽高頻信號(hào)泄露，真空環(huán)境下S參數(shù)、IV曲線采集穩(wěn)定無(wú)噪聲干擾，保障精密射頻與直流測(cè)試精度。

5. 真空/常壓雙工況兼容，一臺(tái)設(shè)備覆蓋通用與真空器件研發(fā)

真空腔體可快速開啟，當(dāng)作普通大氣半自動(dòng)探針臺(tái)測(cè)試常規(guī)分立器件、普通晶圓；密封抽真空后用于氣體敏感、易氧化芯片實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)室無(wú)需分開采購(gòu)兩套探針測(cè)試設(shè)備，節(jié)約采購(gòu)預(yù)算與機(jī)房占地面積。

6. 可拓展真空高低溫模塊，實(shí)現(xiàn)真空冷熱耦合可靠性驗(yàn)證

載片臺(tái)可加裝真空專用半導(dǎo)體制冷加熱卡盤，在高真空環(huán)境完成寬溫區(qū)間器件溫變電學(xué)測(cè)試，模擬宇航器件、真空功率器件、真空光電器件真實(shí)服役溫度環(huán)境，可靠性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)貼合實(shí)際應(yīng)用。

7. 真空度聯(lián)鎖安全控制系統(tǒng)，杜絕誤操作損壞腔內(nèi)精密組件

整機(jī)觸控系統(tǒng)內(nèi)置真空閾值聯(lián)鎖邏輯，腔體真空度未達(dá)到設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，自動(dòng)鎖定三軸運(yùn)動(dòng)平臺(tái)與探針下壓機(jī)構(gòu)；開蓋瞬間立刻停止所有自動(dòng)運(yùn)動(dòng)，防止真空壓差沖擊、探針猛烈撞擊晶圓，提升真空設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行安全性。